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[发明专利]半导体器件及其选择性加热-CN201410120740.9有效
发明人：陈东村;黄睿政;温清华;郑钧文;刘怡劭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其选择性加热，提供了一种或多种半导体器件、阵列布置及其形成方法。该半导体器件包括离子感测器件和接近离子感测器件的加热元件。离子感测器件具有有源区域，其包括源极、漏极、和位于源极和漏极之间的沟道。离子感测器件也具有位于沟道上方的离子感测膜，以及位于离子感测膜上方的离子感测区域。响应于通过接近离子感测器件的热传感器所感测的温度，选择性地激活加热元件以改变离子感测区域的温度，从而促进半导体器件的期望操作，诸如用作生物传感器。多个半导体器件可以形成于阵列内。
离子半导体器件感测器件选择性加热感测区域加热元件感测膜沟道漏极源极生物传感器热传感器阵列布置源区域感测激活响应期望

[发明专利]一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法-CN201410135934.6有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。
一种基于离子注入方式双极型器件位移辐照加固方法

[实用新型]质谱系统-CN201020208111.9有效
发明人：道格拉斯·J·金 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2010-05-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及自对准的浮动离子光学器件组件。一种质谱系统包括离子光学器件和用于该离子光学器件的壳体。面板相对于壳体可在打开位置和关闭位置之间移动。离子光学器件的第一部分在壳体内，而离子光学器件的第二部分被安装到面板上。当面板处于关闭位置时，离子光学器件被壳体和面板围绕。对准机构在关闭面板的情况下将离子光学器件的第一部分和第二部分对准成预定对准。
谱系

[实用新型]半导体器件处理设备-CN201920232302.X有效
发明人：孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该实用新型涉及一种半导体器件处理设备，用于对半导体器件进行氮离子掺杂，包括：腔体，用于放置半导体器件；还包括：氮离子浓度检测单元，包括法拉第杯，设置在所述腔体内半导体器件放置到的位置，用于检测半导体器件进行氮离子掺杂时的氮离子浓度本实用新型的半导体器件处理设备具有氮离子浓度检测单元，能够在对半导体器件进行氮离子掺杂时检测腔体内的氮离子浓度，使得用户能够实时获取到腔体内的氮离子浓度，并根据实时获取到的腔体内的氮离子浓度对掺杂工艺进行进一步的控制，防止在氮离子浓度异常时仍然在进行掺杂工艺，出现掺杂异常的现象，以提高半导体器件的掺杂工艺的成功率。
氮离子半导体器件掺杂处理设备体内浓度检测单元实时获取本实用新型法拉第杯检测腔腔体成功率检测

[发明专利]封装的等离子敏感性器件的制造方法-CN200780018584.3无效
发明人： L·莫洛;X·初;M·P·罗森布朗姆;K·J·尼尔森;P·E·伯罗斯;M·E·格劳斯;M·R·扎姆豪弗;P·M·玛丁;C·C·伯恩哈姆;G·L·格拉夫 -专利权人： VITEX系统公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：封装的等离子敏感性器件的制造方法。该方法包括：提供与基材相邻的等离子敏感性器件；使用选自非等离子基方法或改进的溅镀方法的方法在该等离子敏感性器件上沉积等离子保护层；和沉积与该等离子保护层相邻的至少一个阻隔堆叠体，该至少一个阻隔堆叠体包括至少一个去耦层和至少一个阻隔层，该等离子敏感性器件被封装在该基材和至少一个阻隔堆叠体之间，其中该去耦层、阻挡层或两者是使用等离子方法沉积的，与没有用该等离子保护层制造的封装等离子敏感性器件相比该封装等离子敏感性器件具有减少量的由该等离子所引起的破坏还描述了封装的等离子敏感性器件。
封装等离子敏感性器件制造方法

[发明专利]逻辑电路制造方法以及逻辑电路-CN201210507659.7有效
发明人：张瑛;莘海维 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L21/765 文献下载
摘要：逻辑电路制造方法包括在硅片中形成有源区；以输入输出器件需要的离子量为基准进行离子注入，以用于在有源区中形成输入输出器件和核心器件的N阱；以输入输出器件需要的离子量为基准进行离子注入，以用于在有源区中形成输入输出器件和核心器件的P阱；形成氧化层并通过曝光及蚀刻的方式将核心器件区域的氧化层去除而留下输入输出器件区域的氧化层；形成逻辑器件的栅极；执行NMOS核心器件区域的轻掺杂；执行PMOS核心器件区域的轻掺杂；执行NMOS区域的n型离子注入；执行PMOS区域的p型离子注入；其中，不执行NMOS和PMOS输入输出器件的轻掺杂步骤。
逻辑电路制造方法以及

[发明专利]半导体器件结构及其制备方法-CN201710828005.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆内形成有若干个MOS器件，其中，至少两个MOS器件具有不同的特征尺寸；2）量测得到晶圆内MOS器件的特征尺寸的分布；3）使晶圆沿平行于其表面的方向移动，并使用离子束以扫描的方式对各MOS器件进行晕环离子注入，离子束扫描的方向与晶圆移动的方向相垂直；其中，对特征尺寸大的MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量小于对特征尺寸小的MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量本发明的半导体器件结构的制备方法，通过控制对特征尺寸大的MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量小于对特征尺寸小的MOS器件进行晕环离子注入的注入剂量，可以使得晶圆上的MOS器件具有概呈相同的电气特性。
半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110621734.1在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和位于衬底上的第一鳍部材料层，基底包括第一器件区、以及与第一器件区相邻的第二器件区，在第一器件区中，衬底和第一鳍部材料层之间还形成有第一防穿通离子层；去除位于第二器件区的第一鳍部材料层，露出第一防穿通离子层的侧壁；在露出的第一防穿通离子层的侧壁形成离子阻挡层；形成离子阻挡层后，在第二器件区的衬底上形成第二防穿通离子层；在第二防穿通离子层上形成第二鳍部材料层；进行鳍部图形化处理，将第一鳍部材料层图形化为第一器件鳍部，将第二鳍部材料层图形化为第二器件鳍部。形成离子阻挡层，有利于阻挡第一防穿通离子层和第二防穿通离子层之间的离子扩散。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]SiC器件在轨漏电流预估方法-CN202211526629.0在审
发明人：张琛睿;于庆奎;曹爽;沈立志;王乾元;孙毅;梅博;莫日根;吕贺;张洪伟 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：一种预估高压功率SiC器件在轨重离子引起漏电流的方法，包括：获得入射到芯片表面的所有重离子诱导产生漏电值的数据；将试验获得的数据，通过拟合，积分方法，转化为重离子诱导芯片漏电值的敏感面积；将概率分析获得的器件敏感面积同空间中的重离子能谱结合，获得在整个工作时间段内，器件在不同LET离子影响下的综合漏电预计数值。本发明的目的在于实现对SiC器件在轨重离子引起的漏电流进行预估，可以根据SiC器件地面重离子试验数据、航天器寿命和轨道参数，预估出SiC器件在轨重离子引起的漏电流。
sic 器件漏电预估方法

[发明专利]一种降低阱接出电阻的方法-CN201310492043.1有效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种降低阱接出电阻的方法，包括：步骤S1：提供半导体基底，并形成第一型离子之MOS器件；步骤S2：在所述第一型离子之MOS器件内进行第二型离子阱注入；步骤S3：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第一型离子低掺杂源漏注入工艺；步骤S4：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第二型离子环状注入工艺；步骤S5：在所述第一型离子之MOS器件的第二型离子阱接出区域进行第二型离子源漏重掺杂注入工艺；步骤S6：在所述第二型离子阱接出区域形成金属硅化物本发明所述降低阱接出电阻的方法增加了阱接出区域的注入剂量，从而减小了阱接出区域的接出电阻，降低了器件的衬底效应和栓锁效应，提高了器件的性能。
一种降低阱接出电阻方法

[发明专利]重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法-CN201811240432.4在审
发明人：古松;彭凯;王建军;张颖军;孙静 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提出了重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，通过提取半导体器件工艺参数构建器件结构模型，利用Geant4工具模拟重离子入射到结构模型，考虑重离子与材料中的原子核反应，获得次级重离子能谱，统计能够导致器件发生单粒子翻转的次级重离子概率，并结合半导体器件的饱和翻转截面，计算得到初始重离子通过间接电离导致的单粒子翻转截面。通过本发明获得的翻转截面数据将对器件抗辐射特性的认识更加深入和全面，为器件的抗辐射加固分析和设计提出科学的建议。
重离子单粒子翻转半导体器件电离截面评估抗辐射翻转半导体器件工艺分析和设计原子核反应参数构建截面数据结构模型器件结构能谱入射饱和概率统计

[发明专利]一种基于微通道器件的等离子体制备装置及制备方法-CN202211286243.7在审
发明人：邓志刚;周维民;袁宗强;单连强 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于微通道器件的等离子体制备装置及制备方法，涉及等离子体制备领域。所述制备装置包括烧蚀激光发射器和微通道器件，其中，烧蚀激光发射器用于发射烧蚀激光，微通道器件用于引导烧蚀激光传输；微通道器件上设有设定尺寸的中心孔；烧蚀激光的焦点与微通道器件的中心孔对准，且烧蚀激光与微通道器件同轴；烧蚀激光用于烧蚀微通道器件的管壁，产生等离子体。本发明通过烧蚀激光烧蚀微通道器件的管壁制备等离子体，利用微通道器件约束激光发散，引导激光长距离传输，从而诱发等离子体在通道管内横向填充，同时抑制等离子体纵向膨胀，能够获得状态均匀、具有陡峭上升沿的小尺寸近临界密度等离子体
一种基于通道器件等离子体制备装置方法

[发明专利]带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管-CN202010311264.4有效
发明人：任娜;刘旺;黄治成;李宛曈 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域，其中，所述第二导电区域由元胞和等离子体扩散层构成；所述等离子体扩散层包括多条条形结构的等离子扩散通道，所述等离子扩散通道用于连接所述多个构成第二导电区域元胞中的部分元胞，以使器件在承受浪涌电流冲击的情况下产生的等离子体通过所述等离子扩散通道均匀的扩散到器件表面。本发明通过设计等离子体扩散层，将多个独立的元胞结构连接起来，使得器件在受到浪涌大电流冲击的情况下，器件内部的电流以及产生的热量可以均匀地扩散到整个器件的各个区域，有效地防止器件发生局部过热造成器件损坏，从而提高器件的抗浪涌电流能力，增强器件的可靠性。
带有等离子体扩散复合 pin 肖特基二极管

[发明专利]具有背面缓冲层结构的IGBT器件及其制备方法-CN202110459976.5在审
发明人：曹功勋;吴晓丽;刘建华 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种具有背面缓冲层结构的IGBT器件及其制备方法，该制备方法包括：提供N型掺杂的衬底；于衬底的正面进行IGBT器件的正面工艺；于衬底的背面进行磷离子注入、P型离子注入及高能量氢离子注入并退火激活，形成磷离子掺杂层、P型掺杂层及氢离子掺杂层；氢离子掺杂层位于磷离子掺杂层的上方，并一起形成为IGBT器件的缓冲层；P型掺杂层形成为IGBT器件的集电极区；于衬底的背面形成背面金属层。采用本发明的缓冲层的制备方法，可在保证IGBT器件性能的条件下有效提高IGBT器件的生产效率以及降低IGBT器件的制备成本。
具有背面缓冲结构 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种精确控制悬空纳米管器件方向的方法-CN200710060332.9有效
发明人：房丰洲;徐宗伟;张少婧;韩涛;李建明 -专利权人：天津大学
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G01N13/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种精确控制悬空纳米管器件方向的方法，采用带有能够调整样品台倾斜角的聚焦离子束设备，包括下列步骤：将需要调整角度的悬空纳米管器件置于聚焦离子束设备样品台上；通过电子束或离子束成像系统对纳米管器件进行形貌观测，调整离子束工作距离；通过调整样品台的倾斜角改变纳米管器件相对离子束的角度；开启聚焦离子束发生器，对纳米管器件进行离子束扫描照射，纳米管会产生塑性形变，被弯曲并逐渐沿着离子束方向被校直；停止离子束照射。本发明提出的方法稳定可靠，对纳米管器件可多次重复校正，纳米管器件的角度经校正后不存在随时间而变化的不稳定性。
一种精确控制悬空纳米器件方向方法

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